deposición Bilatu deposición testuinguru gehiagotan

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eu testuak es testuak
Prozesu horri sputtering deitzen zaio (deposizio elektronikoa). í‰ste es el proceso conocido como sputtering (deposición electrónica).

Materiala: Mekanizazio, konformazio eta muntaia prozesuen gauzatzea
Substratuaren gaineko deposizioa lortzeko, osagaiek deskarga elektriko batekin ionizatutako gas batean (hots, plasma batean) erreakzionatzen dute. La deposición sobre el sustrato se materializa mediante la reacción de los ingredientes en un gas ionizado mediante descarga eléctrica, esto es, un plasma.

Materiala: Mekanizazio, konformazio eta muntaia prozesuen gauzatzea
Prozesu horri plasmarekin hobetutako lurrun-deposizio kimiko (PECVD), plasma bidezko lurrun-deposizio kimiko (PCVD) edo, besterik gabe, plasma bidezko deposizio deitzen zaio. A este proceso también se le conoce como deposición quí­mica de vapor mejorada con plasma (PECVD), deposición quí­mica de vapor con plasma (PCVD) o simplemente deposición con plasma.

Materiala: Mekanizazio, konformazio eta muntaia prozesuen gauzatzea
CVD bidezko estalduretarako metal egokien artean, titanioa, banadioa, tungstenoa, molibdenoa eta tantaloa ditugu, eta bereziki egokiak dira konposatuen deposiziorako, hala nola titanio karburoaren (TiC), titanio nitruroaren (TiN), aluminio oxidoaren (Al2O3), silizio nitruroaren (Si3N4) eta silizio dioxidoaren (SiO2) deposiziorako. Los metales favorables para recubrimientos mediante CVD incluyen el titanio, el vanadio, el tungsteno, el molibdeno y el tantalio (tántalo), siendo especialmente adecuados para la deposición de compuestos, tales como el carburo de titanio (TiC), el nitruro de titanio (TiN), el óxido de aluminio (Al2O3), el nitruro de silicio (Si3N4) y el dióxido de silicio (SiO2).

Materiala: Mekanizazio, konformazio eta muntaia prozesuen gauzatzea
Aitzitik, prozesu-kontrola hutseko lurruntzean baino zailagoa da, eta deposizio-abiadurak motelagoak. Por el contrario, las velocidades de deposición son más lentas y el control de proceso más difí­cil que en la evaporación al vací­o.

Materiala: Mekanizazio, konformazio eta muntaia prozesuen gauzatzea
PVD prozesuen artean, estaldurarik onena eta estalduraren itsaspenik onena eskaintzen duena da. Prozesuaren kontrola konplexuagoa bada ere, deposizio-abiadurak deposizio elektronikoan (sputtering) baino handiagoak dira. Es el que proporciona la mejor cobertura y adhesión del recubrimiento entre los procesos PVD, aunque el control del proceso es más complejo, las velocidades de deposición son más altas que la deposición electrónica (sputtering).

Materiala: Mekanizazio, konformazio eta muntaia prozesuen gauzatzea
Sputtering-produkzioa txikia denez gero, deposizio-abiadurak motelak izaten dira (prozesuaren bereizgarriak). Debido a la baja producción de sputtering, las velocidades de deposición son lentas y caracterí­sticas de este proceso.

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